RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
29
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2711
2408
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link