RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
29
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
22
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
17000
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2711
3205
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Mushkin 991586 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link