RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
29
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
17000
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2711
3091
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link