RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Porównaj
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
41
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
10.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.7
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1335
3413
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link