RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Porównaj
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
41
Wokół strony -78% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
10.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
23
Prędkość odczytu, GB/s
10.7
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1335
3819
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link