RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Porównaj
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
41
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
10.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.9
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
24
Prędkość odczytu, GB/s
10.7
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
18.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1335
4219
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link