RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Porównaj
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Wynik ogólny
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
41
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
10.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
34
Prędkość odczytu, GB/s
10.7
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1335
2927
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX1866C11D3/8G 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link