RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Mushkin 991586 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Porównaj
Mushkin 991586 2GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Wynik ogólny
Mushkin 991586 2GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Mushkin 991586 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
32
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
7.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Mushkin 991586 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.9
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2156
3149
Mushkin 991586 2GB Porównanie pamięci RAM
Mushkin 999015 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Mushkin 991586 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link