RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Porównaj
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Wynik ogólny
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
63
Wokół strony -174% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
7.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
5.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
23
Prędkość odczytu, GB/s
7.7
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
5.0
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1130
2561
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-084.A01LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link