Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Micron Technology AFLD416EH1P 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB

Micron Technology AFLD416EH1P 16GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    28 left arrow 63
    Wokół strony -125% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    13.7 left arrow 7.7
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    6.9 left arrow 5.0
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    19200 left arrow 10600
    Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    63 left arrow 28
  • Prędkość odczytu, GB/s
    7.7 left arrow 13.7
  • Prędkość zapisu, GB/s
    5.0 left arrow 6.9
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1130 left arrow 2312
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania