RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Porównaj
Mushkin 991988 (996988) 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Wynik ogólny
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
35
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
7.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
35
Prędkość odczytu, GB/s
14.0
10.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2388
2124
Mushkin 991988 (996988) 4GB Porównanie pamięci RAM
Mushkin 991988S (996988S) 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX6400D2LL/1GN 1GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link