RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
32
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1676
2999
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link