RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
26
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
21
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1676
3380
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link