RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
8.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.8
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2301
3544
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F4G64CB8HD5N-CG 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
INTENSO 5641160 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link