RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
51
Wokół strony 53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
51
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.8
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2301
2387
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F4G64CB8HD5N-CG 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link