RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB vs Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
34
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.8
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2301
2297
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F4G64CB8HD5N-CG 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link