RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB vs Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
26
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
7.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.4
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2046
2922
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F4G64CB8HB5N-CG 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link