RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
34
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
14.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
25
Prędkość odczytu, GB/s
14.1
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2340
3774
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB Porównanie pamięci RAM
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link