RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
55
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
7.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
55
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2486
2078
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link