RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
37
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
3625
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FJ 2GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link