RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
37
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
2938
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link