RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
37
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
25
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
3908
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link