RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
37
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
3755
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link