RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
37
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
3721
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Lenovo 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link