RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
37
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
2291
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link