RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
37
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
21
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
3255
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link