RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
37
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
2839
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link