RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
37
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
2418
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
INTENSO 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link