RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
37
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
3158
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link