RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
37
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
2863
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link