RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
37
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
3305
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link