RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
37
Wokół strony -118% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
17
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
22.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
3704
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link