RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
37
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
3587
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link