RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
37
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
3676
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link