RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
37
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
25
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
3668
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link