RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
37
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
3515
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link