RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
37
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
3083
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link