RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
37
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
3533
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link