RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
37
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
2764
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link