RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
37
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
2509
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link