RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
37
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
21
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
2980
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link