RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
37
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
2816
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
INTENSO 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link