RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
48
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
8.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
48
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
2466
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link