RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
37
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
2927
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link