RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
62
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
7.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
13.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
62
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
1808
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link