RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
37
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
2922
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
INTENSO 5641162 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link