RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
37
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.6
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
21.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
19.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
4240
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link