RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
37
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
2846
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link