RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
37
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
2801
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link