RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
37
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
3154
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Kingston 99U5428-049.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link